Langkah ke depan dalam pengembangan sirkuit terintegrasi CMOS Diamond. Sebuah tim peneliti di NIMS telah mengembangkan N-Channel Diamond MOSFET pertama di dunia (transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor). Terobosan ini menandai langkah yang signifikan menuju mewujudkan CMO (pelengkap logam-oksida-semikonduktor) sirkuit terintegrasi berdasarkan berlian, memungkinkan penggunaannya di lingkungan yang ekstrem dan memajukan pengembangan berbasis berlian (…)
RisalahPos.com Network
Beranda
Headline
Diamond Devices Break Limits: Ilmuwan mengungkap transistor tingkat nuklir berkinerja tinggi baru
Diamond Devices Break Limits: Ilmuwan mengungkap transistor tingkat nuklir berkinerja tinggi baru
RisalahPos1 min baca

